[发明专利]半导体器件和形成半导体器件方法有效
| 申请号： | 202010155641.X | 申请日： | 2020-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN112018061B | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 黄子松;曾明鸿;林彦良;蔡豪益;蔡及铭;刘重希;林志伟;何明哲 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/528;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 在实施例中，半导体器件包括：集成电路管芯；至少部分地围绕集成电路管芯的密封剂，该密封剂包括具有平均直径的填充剂；延伸穿过密封剂的通孔，通孔的下部具有恒定的宽度，并且通孔的上部具有连续减小的宽度，上部的厚度大于填充剂的平均直径；以及再分布结构，包括：位于通孔、密封剂和集成电路管芯上的介电层；以及金属化图案，具有延伸穿过介电层的通孔部分和沿着介电层延伸的线部分，金属化图案电连接至通孔和集成电路管芯。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
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