[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202010149361.8 | 申请日： | 2020-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN113363314A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/10;H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：衬底，所述衬底包括第一区、第二区以及位于所述第一区和第二区之间的第三区，在所述第三区衬底内具有第一开口，并且，在所述第一区表面上具有第一沟道柱，在所述第二区表面上具有第二沟道柱；位于所述第一开口内的第一隔离结构，所述第一隔离结构的顶部表面高于所述衬底表面；位于所述第一沟道柱表面和第一隔离结构顶部表面的第一功函数层；位于所述第二沟道柱表面和第一隔离结构顶部表面的的第二功函数层。从而，改善了半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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