[发明专利]一种大比表面积高纯度α-三氧化二铝及其制备方法在审
| 申请号： | 202010146033.2 | 申请日： | 2020-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN111153421A | 公开（公告）日： | 2020-05-15 |
| 发明（设计）人： | 崔大祥;林琳;吴晓燕;邬淑红;金彩虹 | 申请（专利权）人： | 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 |
| 主分类号： | C01F7/02 | 分类号： | C01F7/02;C01C1/04;B01J21/04;B01J35/10;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 上海东亚专利商标代理有限公司 31208 | 代理人： | 董梅 |
| 地址： | 201109 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种大比表面积高纯度α‑三氧化二铝及其制备方法，采用固态水热法，氧化铝水热合成路线中，产物的形成遵守自磨、水合、水解、成核、结晶、生长等基本环节，即自磨水解结晶机制(Self‑milling Hydrolysis Crystallized mechanism，S‑MHC)，氧化铝纳米颗粒的比表面积可达140 m |
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| 搜索关键词： | 一种 表面积 纯度 氧化 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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