[发明专利]一种3D NAND存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 202010138922.4 | 申请日： | 2020-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN111341780B | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 吴林春;张坤;韩玉辉;周文犀 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 远明 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种3D NAND存储器及其制造方法，包括：衬底，位于所述衬底上方的源极层，位于所述源极层上方的底部选择管层，位于所述底部选择管层上方的存储阵列堆栈层，在垂直于所述衬底的第一方向上贯穿所述存储阵列堆栈层、底部选择管层、源极层、以及部分衬底的沟道叠层结构，在所述第一方向上贯穿所述底部选择管层、源极层、以及部分衬底的支撑柱，在蚀刻沟道孔内的ONO层的过程中，支撑柱既能在电性上实现两边的BSG结构独立控制，同时也能起到支撑的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nand 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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