[发明专利]嵌入式锗硅制作方法及嵌入式锗硅结构在审
| 申请号： | 202010138897.X | 申请日： | 2020-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN111403283A | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 李中华;朱轶铮;李润领 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/08;H01L29/78;H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种嵌入式锗硅制作方法，包括在半导体衬底上依次生成有源区、栅极、栅极绝缘层和锗硅硬掩膜刻蚀阻挡层；在两栅极之间的有源区形中刻蚀成截面为坛形的浅沟槽，所述浅沟槽侧壁的一部分位于所述锗硅硬掩膜刻蚀阻挡层和栅极侧墙正下方；清洗去除刻蚀残留物；刻蚀所述浅沟槽形成sigma型深沟槽，所述sigma型深沟槽顶部的一部分与所述锗硅硬掩膜刻蚀阻挡层或栅极侧墙相邻，所述sigma型深沟槽两侧分别形成有向外延伸的尖端，所述尖端位于栅极正下方的有源区中；在sigma型深沟槽内生长锗硅外延形成嵌入式锗硅区。本发明还公开了一种嵌入式锗硅结构。本发明提升了锗硅对沟道的应力，增大了锗硅的体积，进一步的提升了锗硅对沟道的应力，从而提高PMOS器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 嵌入式 制作方法 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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