[发明专利]一种垂直异质p-n结结构器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202010133859.5 | 申请日： | 2020-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN111415979A | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 方志来;蒋卓汛;闫春辉;吴征远;张国旗 | 申请（专利权）人： | 深圳第三代半导体研究院 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/737;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/331;H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京中知法苑知识产权代理有限公司 11226 | 代理人： | 阎冬 |
| 地址： | 518055 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种垂直异质p‑n结结构器件及其制备方法，属于半导体领域，所述垂直异质p‑n结结构器件包括：衬底，第一n型材料层，位于所述第一n型材料层上方的p型材料层，位于所述p型材料层上方的第二n型材料层，分别位于所述第一n型材料层上方、所述p型材料层上方、所述第二n型材料层上方的金属电极；其中，所述p型材料层由所述第一n型材料层生长所得，所述第二n型材料层由所述p型材料层生长所得，生长结束后可获得垂直方向的异质p‑n结，所述的第一n型材料层、p型材料层、第二n型材料层的载流子浓度为1×10 |
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| 搜索关键词： | 一种 垂直 结构 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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