[发明专利]一种合成镍钴铁氧化物三维立式纳米片结构电极材料的方法和应用有效
| 申请号： | 202010132488.9 | 申请日： | 2020-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN111326348B | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 范爱玲;谢登奎;曹小强;庞伟 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01G11/24 | 分类号： | H01G11/24;H01G11/30;H01G11/46;H01G11/86 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种合成镍钴铁氧化物三维立式纳米片结构电极材料的方法和应用属于超级电容器储能领域。本发明的方法是将镍盐、钴盐、铁盐溶入乙醇、乙二醇和水的混合溶液中并搅拌均匀，然后把处理过的泡沫镍浸入上述溶液中，溶剂热反应一段时间，把覆盖有反应生成物的泡沫镍取出烘干后，即可得到镍钴铁氧化物三维立式纳米片结构电极材料。这种方法直接在泡沫镍上生长电极材料，无粘结剂的使用，增加了导电性和机械稳定性。同时镍、钴、铁三者之间的复合，在发生协同作用的同时，能提高结构稳定性，避免团聚现象的产生，提高表面积。本方法操作简单，安全环保，可控性强，原料廉价易得，适合大规模生产和工业应用的需要。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 合成 镍钴铁 氧化物 三维 立式 纳米 结构 电极 材料 方法 应用 | ||
【主权项】：
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