[发明专利]一种单面非晶硅的沉积方法

摘要

本发明公开了一种单面非晶硅的沉积方法，包括以下步骤：步骤1，在硅片的正面沉积一层10～100nm厚的沉积层，所述沉积层为氮化硅层、氧化硅层或氧化铝层中的任意一种；步骤2，在硅片背面沉积1～5nm厚的超薄遂穿层，在超薄遂穿层上沉积10～500nm厚的非晶硅层；步骤3，清洗硅片正面及边缘的沉积层，只留下背面的超薄遂穿层与非晶硅层。根据本发明，其该既能够达到良好的去除绕度的效果又不会损伤硅片的质量而影响电池成品率，并且无需添置新设备，也工艺过程简单，无需反复镀膜去膜的繁琐工艺制程即可实现绕度的去除。