[发明专利]提升抗LATCH UP能力的方法及系统在审
| 申请号： | 202010123435.0 | 申请日： | 2020-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN113314415A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 王学良;刘建华;郎金荣;闵亚能 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 薛琦;林嵩 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提升平面栅IGBT的抗LATCH UP能力的方法及系统，所述平面栅IGBT包括第一寄生三极管和第二寄生三极管；所述方法包括：在所述第一寄生三极管的集电极中注入氢离子；其中，随着所述氢离子的注入，所述第一寄生三极管的放大倍数降低，所述平面栅IGBT的抗LATCH UP能力增强；和/或，在所述第二寄生三极管的基极中注入氢离子；其中，随着所述氢离子的注入，所述第二寄生三极管的放大倍数降低，所述平面栅IGBT的抗LATCH UP能力增强。本发明能够有效地提升了平面栅IGBI的抗LATCH UP能力，提高了平面栅IGBI的使用性能，使其能够满足更高的实际使用需求。 | ||
| 搜索关键词： | 提升 latch up 能力 方法 系统 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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