[发明专利]一种预测激光选区熔化单熔道成型缺陷的数值模拟方法在审
| 申请号： | 202010121568.4 | 申请日： | 2020-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN111222256A | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 田华;曹志伟;辛毅;蔡养川;韩俭 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;B22F3/105;G06F111/10 |
| 代理公司： | 天津企兴智财知识产权代理有限公司 12226 | 代理人： | 陈雅洁 |
| 地址： | 300384 *** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明创造提供了一种预测激光选区熔化单熔道成型缺陷的数值模拟方法，包括：S1、通过EDEM软件建立一个粉床颗粒模型；S2、选择粉床颗粒材质，对粉床颗粒模型进行网格划分；S3、建立模拟所需热传递及熔池驱动力的多物理场模型；S4、选择激光功率和扫描速度为对象分别对多组不同工艺参数进行模拟。本发明创造提供了一种预测激光选区熔化单熔道成型缺陷的数值模拟方法，通过离散元法建立粉床模型，构建传热和熔池驱动力多物理场模型通过对单熔道成型进行数值模拟，得到最终形貌结果；对成型后的单熔道进行评价，分析缺陷现象，为工艺参数的优化提供参考。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 预测 激光 选区 熔化 单熔道 成型 缺陷 数值 模拟 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津理工大学，未经天津理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010121568.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
