[发明专利]一种非均匀绝缘介质的刻蚀方法、系统、装置与设备在审
| 申请号： | 202010121304.9 | 申请日： | 2020-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN111215754A | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 张立国 | 申请（专利权）人： | 武汉铱科赛科技有限公司 |
| 主分类号： | B23K26/36 | 分类号： | B23K26/36;B23K26/364 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 姜展志 |
| 地址： | 430000 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种非均匀绝缘介质的刻蚀方法、系统、装置与设备，该方法包括：利用刻槽激光在非均匀绝缘介质层上刻出一条槽形成孤岛；利用铣削激光束铣削孤岛；刻槽激光束的峰值功率密度大于非均匀绝缘介质层中高阈值绝缘材料的激光破坏阈值；铣削激光束的峰值功率密度，大于孤岛中低阈值绝缘材料的激光破坏阈值，小于孤岛中高阈值绝缘材料的激光破坏阈值，同时还小于衬底材料的激光破坏阈值。本发明主要解决非均匀绝缘介质层的清除需要采用高峰值功率密度的激光铣削与衬底材料不能承受高峰值功率密度激光的固有矛盾，巧妙用刻槽形成隔离槽的方式，实现了低峰值功率密度激光清除包含高阈值材料的非均匀绝缘介质层，同时保障了不伤及衬底的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 均匀 绝缘 介质 刻蚀 方法 系统 装置 设备 | ||
【主权项】：
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