[发明专利]发光二极管封装结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202010120315.5 | 申请日： | 2020-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN113314658A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 枫政国;陈学龙 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/58 | 分类号： | H01L33/58;H01L25/075 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 王娟 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种发光二极管封装结构，包括阵列基板及阵列分布于所述阵列基板上的发光二极管，所述发光二极管封装结构还包括隔离各个所述发光二极管的挡墙。本发明的提供的发光二极管封装结构在各个所述发光二极管周围形成所述挡墙，防止相邻的所述发光二极管之间的光场重叠，以呈现出点发光效果，提高出光清晰度，提升显示的可靠性。本发明还提供一种发光二极管封装结构的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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