[发明专利]半导体结构及半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 202010118554.7 | 申请日： | 2020-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN113314601B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及半导体结构形成方法，方法包括：提供衬底；在衬底上形成初始鳍部结构，初始鳍部结构包括初始第一牺牲层、位于初始第一牺牲层上若干纳米线，相邻纳米线之间具有初始第二牺牲层；在初始鳍部结构延伸方向的两端形成源漏开口，源漏开口暴露出初始鳍部结构的侧壁表面；去除源漏开口暴露出的部分初始第二牺牲层形成第二牺牲层，在相邻纳米线之间的第二牺牲层侧壁形成第一凹槽；在第一凹槽内形成第一侧墙结构，第一侧墙结构暴露出纳米线的侧壁表面，第一侧墙结构包括第一侧墙和位于第一侧墙表面的第二侧墙，第二侧墙和第一侧墙的材料不同；形成第一侧墙结构之后，在源漏开口内形成源漏掺杂层。所述方法形成的半导体结构性能得到提升。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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