[发明专利]半导体装置、其制造方法及半导体存储装置在审
| 申请号： | 202010116085.5 | 申请日： | 2020-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN112530905A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 北村政幸 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768;H01L27/11573;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种能提高氧化膜与导电膜的密接性且降低导电膜的电阻的半导体装置、其制造方法及半导体存储装置。实施方式的半导体装置的制造方法是在半导体基板上形成含有第1元素的氧化膜，并使用含有金属元素的材料气体、还原所述金属元素的还原气体及将所述材料气体导至所述基板的载气在所述氧化膜上形成导电膜；该半导体装置的制造方法中，所述材料气体、所述还原气体及所述载气中的至少一种气体包含氧元素，且形成所述导电膜时的所述基板的温度高于所述金属元素的氧化物的升华温度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 存储 | ||
【主权项】：
暂无信息
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