[发明专利]一种逆阻IGBT的终端结构有效
| 申请号: | 202010102670.X | 申请日: | 2020-02-19 |
| 公开(公告)号: | CN111293172B | 公开(公告)日: | 2023-10-10 |
| 发明(设计)人: | 吴郁;李龙飞;王立昊;孙婉茹 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
| 主分类号: | H01L29/739 | 分类号: | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人: | 刘萍 |
| 地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | 一种逆阻IGBT的终端结构属于半导体领域,目前存在的终端面积过大,成本过高的现状,并且影响芯片的散热。针对这种情况提出了一种能够减小终端面积且不影响它耐压能力的终端结构。其特征在于:n环数量为一个;n环的两侧各有30—45个p环,且p环的峰值浓度大于1e18;两个p环之间引入了垂直于p环的n型和p型条形区,且构成的pn结垂直于p环;芯片的最外侧引入p型隔离区。垂直于p环的n型和p型条形区的峰值浓度小于1e16,且n型或p型条形区的宽度在2μm‑3μm。通过本项终端结构技术芯片的面积可以减少40%左右。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 igbt 终端 结构 | ||
【主权项】:
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