[发明专利]一种羟基氧化铁纳米片阵列的合成方法在审
| 申请号： | 202010098536.7 | 申请日： | 2020-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN111268740A | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 杜洪方;艾伟;王珂;何松 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | C01G49/02 | 分类号： | C01G49/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人： | 王鲜凯 |
| 地址： | 710072 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种羟基氧化铁纳米片阵列的合成方法，将碱溶于水中得到一定浓度的碱溶液；将高铁酸盐溶于碱液中得到高铁酸盐溶液；将基底浸泡在高铁酸盐溶液中，静置后取出基底，洗净烘干，得到生长在基底上的羟基氧化铁纳米片阵列材料。本发明提供的羟基氧化铁纳米片阵列的合成技术，具有安全性高、可控性好、普适性强、操作简便的特点，便于量化生产。本发明制备的羟基氧化铁纳米片阵列，形貌均匀、尺寸可控、附着力强，可以满足各领域的应用需求。本发明在羟基氧化铁纳米片阵列的大规模制备中具有重要的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 羟基 氧化铁 纳米 阵列 合成 方法 | ||
【主权项】：
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