[发明专利]一种三维存储器及其制作方法

摘要

本发明提供一种三维存储器及其制作方法，该方法包括以下步骤：形成垂直沟道结构于基底结构中；形成在水平方向上贯穿存储叠层并与沟道层连接的多晶硅侧墙；形成与所述多晶硅侧墙的外侧壁连接的P型掺杂层；形成N型掺杂层于所述P型掺杂层上方，所述N型掺杂层与所述多晶硅侧墙的外侧壁连接；形成与所述沟道存储叠层的外侧壁连接的栅极层；形成贯穿所述栅极层并与所述N型掺杂层连接的阵列共源极结构。本发明的存储器中，与沟道层连接的多晶硅侧墙同时与不同掺杂类型的材料层连接，可以实现电子和空穴的独立传输通道，极大地降低了对底部选择栅的要求，可以采用体擦除方式实现擦除操作，极大地提高了器件的可靠性和擦除效率。