[发明专利]一种半导体功率模块及其制备方法有效
| 申请号： | 202010097857.5 | 申请日： | 2020-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN111276403B | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 张正 | 申请（专利权）人： | 中山市木林森微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/31;H01L23/367 |
| 代理公司： | 北京路胜元知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11669 | 代理人： | 路兆强 |
| 地址： | 528415 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体功率模块及其制备方法，该方法包括以下步骤：将半导体功率芯片临时固定在第一临时承载基板上，在所述半导体功率芯片的第二表面形成一凹陷腔体，所述凹陷腔体在垂直方向上与所述功能核心区域相重叠，在所述半导体功率芯片的所述第二表面上沉积导热绝缘层，在所述凹陷腔体中设置导热硅胶层；接着将散热器设置于所述半导体功率芯片的所述第二表面上，使得多个凸起嵌入到所述导热硅胶层中，接着在散热器上固定粘结第二临时承载基板，并去除所述第一临时承载基板，将所述半导体功率芯片倒装安装在电路布线图案上，接着去除所述第二临时承载基板，接着在所述散热基底上形成模塑层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 功率 模块 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
