[发明专利]SOI器件的制造方法在审
| 申请号： | 202010093216.2 | 申请日： | 2020-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN111146090A | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 蒙飞 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种SOI器件的制造方法，包括：提供堆叠的第一衬底、埋氧层和第二衬底；刻蚀所述第二衬底以形成浅沟槽；形成隔离层；通过自对准刻蚀工艺刻蚀所述隔离层以形成侧墙结构；形成栅氧化层和栅极材料层；刻蚀所述栅极材料层和所述栅氧化层以形成栅极结构；对所述第二衬底执行源、漏极注入工艺；形成介质层以及化学机械研磨所述介质层的表面。在本发明中，在所述浅沟槽中形成侧墙结构并且在所述第二衬底中形成源、漏区之后再在所述浅沟槽中填充介质层以得到最终的隔离结构，而不是在形成所述浅沟槽后立刻填充氧化物来形成浅沟槽隔离结构，这样既可以得到隔离结构，又可以避免化学机械研磨工艺对低密度的源、漏区表面造成损伤的情况。 | ||
| 搜索关键词： | soi 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
