[发明专利]一种基于薄膜晶体管的开关电容比较器、方法及芯片有效
| 申请号： | 202010084810.5 | 申请日： | 2020-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN111211781B | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 范厚波;陈荣盛;徐煜明;覃俣宁;李国元 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H03M1/34 | 分类号： | H03M1/34;H03M1/46 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 何文聪 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于薄膜晶体管的开关电容比较器、方法及芯片，其中比较器包括反相器模块、开关模块、第一电容和第二电容，所述开关模块包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管；所述第三薄膜晶体管的源极分别与第一薄膜晶体管的源极、第一电容的一端和第二电容的一端连接，所述第一薄膜晶体管的漏极连接参考电压，所述第二电容的另一端分别与反相器模块的输入端和第二薄膜晶体管的漏极连接，所述第二薄膜晶体管的源极与反相器模块的输出端连接。本发明采用三个薄膜晶体管作为开关，通过外部时钟信号有效地控制开关的导通和闭合，将比较器的工作过程区分为了采样过程和比较过程，提高了比较器的分辨率，可广泛应用于集成电路领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 薄膜晶体管 开关 电容 比较 方法 芯片 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南理工大学，未经华南理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010084810.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
