[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 202010081655.1 | 申请日： | 2020-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN113224153A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 苏柏文;张明华;吕水烟 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/20;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开一种高电子迁移率晶体管及其制作方法，其中该制作方法为，主要先形成一图案化掩模于一基底上，然后利用图案化掩模去除基底以形成多个隆起部以及一受损层于该等隆起部上，然后去除该受损层，形成一阻障层于隆起部上，形成一P型半导体层于阻障层上，再形成一源极电极以及一漏极电极于P型半导体层两侧。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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