[发明专利]一种高电源抑制比的双环控制带隙基准电路有效
| 申请号： | 202010080566.5 | 申请日： | 2020-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN111273722B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 明鑫;刘媛媛;范子威;张志文;王卓;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种高电源抑制比的双环控制带隙基准电路，属于电源管理技术领域。本发明提出双环控制模式产生带隙基准电压，第一个环路利用第一运算放大器的高增益特性保证第二NPN双极结型晶体管和第三NPN双极结型晶体管的集电极电位相同，从而产生温度特性准确的基准电压，第二个环路在基准建立好后利用第二运算放大器的负反馈特性产生与电源电压波动无关的局部电源电压，使电源电压的扰动被负反馈隔离，从而提升了基准电路的电源抑制比。本发明在确保基准电压的准确性的同时也获得了高的电源抑制比，实现了变化率为20.38ppm/℃的基准电压的输出。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电源 抑制 控制 基准 电路 | ||
【主权项】：
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