[发明专利]一种应用于石墨烯上的柔性GaN基MIS器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202010079228.X | 申请日： | 2020-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN111162147A | 公开（公告）日： | 2020-05-15 |
| 发明（设计）人： | 曹冰;周浩;王钦华 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 苏州智品专利代理事务所(普通合伙) 32345 | 代理人： | 王利斌 |
| 地址： | 215137 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种应用于石墨烯上的柔性GaN基MIS器件，包括GaN薄膜层、AlN溅射层、石墨烯层、金属电极层；本发明还公开了一种应用于石墨烯上的柔性GaN基MIS器件的制备方法，通过外延生长方式制备，将GaN作为半导体提供局域载流子，AlN溅射层作为电介质层以实现隧穿，石墨烯作为金属电极提供与半导体产生作用的载流子。该发明的有益效果是：制备方法简单容易实现，对于衬底无特殊要求，可以轻易实现柔性，能置于任意柔性衬底并可正常使用，在柔性条件下GaN基MIS器件的性能基本不受影响，而且成本低廉、易于实现。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 石墨 柔性 gan mis 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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