[发明专利]具有气隙的半导体结构有效
| 申请号： | 202010078703.1 | 申请日： | 2020-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN113206055B | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 徐庆斌;王志荣;张竹君;杨国裕;林家辉;马瑞吉 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L23/485;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种具有气隙的半导体结构，包含介电堆叠，包含第一介电层，设于基底上、第二介电层，设于第一介电层上，以及第三介电层，设于第二介电层上；第一导电层，设于介电堆叠内；第二导电层，设于介电堆叠内，且与第一导电层区隔开，其中第一导电层和第二导电层位于同一平面上；以及类十字形气隙，设于介电堆叠内，且位于第一导电层和第二导电层之间；以及氧化层，设置在类十字形气隙内的第二介电层的侧壁上。 | ||
| 搜索关键词： | 有气 半导体 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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