[发明专利]LED制备工艺有效
| 申请号： | 202010077300.5 | 申请日： | 2020-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN111244233B | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 孙蕾蕾 | 申请（专利权）人： | 江苏明纳半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京华仁联合知识产权代理有限公司 11588 | 代理人： | 陶长清 |
| 地址： | 224700 江苏省盐城市建湖*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种LED制备工艺，包括提供一衬底；对衬底进行高温处理；依次形成缓冲层、未掺杂层、第一半导体层、发光层、第二半导体层；所述缓冲层包括依次形成在所述衬底上的第一缓冲层、第二缓冲层、第三缓冲层，所述第一缓冲层形成过程中温度逐渐减低，所述第二缓冲层形成过程中温度保持不变，所述第三缓冲层形成过程中温度逐渐升高。本发明通过不同温度下形成的多种晶体形态缓冲层，释放了缓冲层自身的内部应力，最后形成的缓冲层表面也较普通缓冲层平滑，得到外延片表面形貌好，由于制备过程中充分利用了利用降温和升温阶段，无需单独的步骤形成，节省了制程时间，最后得到的LED结晶质量好、缺陷密度低。 | ||
| 搜索关键词： | led 制备 工艺 | ||
【主权项】：
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