[发明专利]栅漏电模型的优化方法及基于其的高电子迁移率器件模型在审
| 申请号： | 202010075961.4 | 申请日： | 2020-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN111079317A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 王盛凯;郭子晗 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种栅漏电模型的优化方法及基于其的高电子迁移率器件模型，其中，该优化方法包括：基于表面势计算，建立高电子迁移率器件模型；建立栅电流模块；结合高电子迁移率器件模型的内部模块对栅电流模块进行分段近似和拟合；以及，在栅漏电模型中加入变温反馈模块，并与所述高电子迁移率器件模型相对接。本发明提供的该栅漏电模型的优化方法及基于其的高电子迁移率器件模型，实现了对不同栅漏电机制的数学整合，能够在兼顾物理意义和准确性的前提下对器件栅漏电机制进行有效的拟合；同时其变温函数的引入也使得模型对变温的预测性更加准确。 | ||
| 搜索关键词： | 漏电 模型 优化 方法 基于 电子 迁移率 器件 | ||
【主权项】：
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