[发明专利]内嵌散热腔的低损耗射频垂直电连接结构和制作方法有效
| 申请号： | 202010065763.X | 申请日： | 2020-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN111244049B | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 王振宇;李伟;刘远洋 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L23/473 | 分类号： | H01L23/473;H01L23/538;H01L23/552;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京知呱呱知识产权代理有限公司 11577 | 代理人： | 康震 |
| 地址： | 100089*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例涉及半导体技术领域，具体涉及一种内嵌散热腔的低损耗射频垂直电连接结构和制作方法。一种内嵌散热腔的低损耗射频垂直电连接结构，包括：上下两层的垂直对称设置的第一部分和第二部分；第一部分包括：硅基板，其上有凹槽；设置在硅基板凹槽底部设置有硅通孔TSV；硅通孔TSV为圆柱体结构；包括：铜芯3、内硅柱4、铜屏蔽筒5和外硅柱6；内硅柱4包裹所述铜芯3；第一部分的凹槽和第二部分的凹槽形成密闭的冷却介质腔存储冷却介质；以及第一部分的硅通孔TSV和第二部分的硅通孔TSV一一对应连接。本发明通过硅基板内嵌散热腔使用冷却介质进行冷却，提高了散热功能。通过设置外层的铜屏蔽筒5，可以减小铜芯3的信号损失。 | ||
| 搜索关键词： | 散热 损耗 射频 垂直 连接 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
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