[发明专利]一种石墨烯生长基底的预处理方法

摘要

本发明公开了一种石墨烯生长基底的预处理方法，该方法以铜箔或铜镍合金箔作为基底，对其进行初步抛光，再将其置于管式炉内进行退火，退火后的基底从炉内取出，再次对其进行抛光，再将其置于加热台上加热氧化，即可完成预处理，预处理后的基底可用于石墨烯的化学气相沉积生长。该预处理方法可以降低铜或铜镍合金基底的粗糙度，提高基底纯度，降低基底表面的活性位点，最终达到降低石墨烯成核密度的效果，从而实现大单晶石墨烯以及大面积2‑5层范围内均匀厚度的少层石墨烯的制备。