[发明专利]Pt修饰ZnO微米线异质结发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 202010059157.7 | 申请日： | 2020-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN111525011B | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 阚彩侠;马琨傑;周祥博;姜明明;唐楷 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01L33/26 | 分类号： | H01L33/26;H01L33/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210016 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了Pt修饰ZnO微米线异质结发光二极管及其制备方法，该二极管包括包括p‑GaN衬底、PtNPs@ZnO:Ga复合微米线、垫片、石英玻璃，垫片与p‑GaN衬底并排摆放，PtNPs@ZnO:Ga复合微米线贴在p‑GaN衬底和垫片上，位于垫片上的一端贴有金属颗粒电极，p‑GaN衬底镀有合金电极，石英玻璃压在PtNPs@ZnO:Ga复合微米线上；该二极管的制备方法包括以下步骤：(S1)在制备Pt@ZnO:Ga金属修饰半导体的复合结构；(S2)制备PtNPs@ZnO:Ga复合微米线；(S3)制备PtNPs@n‑ZnO:Ga/p‑GaN异质结构；(S4)在p‑GaN衬底上制备合金电极，在PtNPs@ZnO:Ga复合微米线一端制备金属颗粒电极；(S5)最后在整个结构上按压一片石英玻璃，即得到Pt修饰ZnO微米线异质结发光二极管。该二极管紫外发光效率高，且为微米级光电器件，便于使用和制备，同时能够灵活调节发光波长。 | ||
| 搜索关键词： | pt 修饰 zno 微米 线异质 结发 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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