[发明专利]一种SiC MOSFET模块的寿命预测方法及系统在审
| 申请号： | 202010053163.1 | 申请日： | 2020-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN111208404A | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | 孟昭亮;胡梦阳;高勇;杨媛;张泽涛;李静宇;董志伟;吕亚茹;方正鹏 | 申请（专利权）人： | 西安工程大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 张皎 |
| 地址： | 710048 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明公开一种SiC MOSFET模块的寿命预测方法，包括以下步骤：步骤1，采集NTC热敏电阻上电流为3mA～5mA时的电压信号；步骤2，将电压信号转换为频率信号；步骤3，将步骤2的频率信号转化为数字信号，即为SiC MOSFET模块的当前时刻温度T |
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| 搜索关键词： | 一种 sic mosfet 模块 寿命 预测 方法 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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