[发明专利]一种采用无压浸渗制备高体积分数SiC颗粒增强Cu基复合材料的方法有效
| 申请号： | 202010049432.7 | 申请日： | 2020-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN111235421B | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 曾德军;孟瑶;桑可正;刘林杰 | 申请（专利权）人： | 长安大学 |
| 主分类号： | C22C1/10 | 分类号： | C22C1/10;C22C1/02;C22C9/00;C22C32/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 马贵香 |
| 地址： | 710064 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明一种采用无压浸渗制备高体积分数SiC颗粒增强Cu基复合材料的方法，包括：步骤1，制备多孔碳化硅陶瓷框架；制备偏钨酸铵溶胶；步骤2，将偏钨酸铵溶胶浸入到多孔碳化硅陶瓷框架中，然后干燥并在空气气氛中煅烧，然后在氢气气氛下煅烧还原，得到含有钨涂层的多孔碳化硅陶瓷框架；步骤3，将含有钨涂层的多孔碳化硅陶瓷框架和铜在加热条件下进行无压浸渗，得到高体积分数SiC颗粒增强Cu基复合材料。本发明在多孔碳化硅陶瓷框架的孔道表面形成钨涂层，钨与铜的润湿角小于10°，所以钨涂层改善了碳化硅、氧化硅与铜的润湿性，从而保证能够利用无压浸渗的方法得到高体积分数SiC颗粒增强Cu基复合材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 无压浸渗 制备 体积 分数 sic 颗粒 增强 cu 复合材料 方法 | ||
【主权项】：
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