[发明专利]一种垂直GaN功率二极管有效
| 申请号： | 202010040170.8 | 申请日： | 2020-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN111211160B | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 罗小蓉;孙涛;欧阳东法;郗路凡;邓思宇;魏杰;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种垂直GaN功率二极管。本发明在阳极电压为0V时，利用阳极金属与GaN半导体之间功函数差耗尽二极管阳极和阴极之间的导电沟道，实现二极管关断及耐压的功能，避免了GaN肖特基二极管因肖特基结因漏电而导致的提前击穿，获得高反向击穿电压和低泄漏电流；当阳极电压大于电压临界值时，耗尽区变窄,器件导通；当阳极电压进一步增大，凸出部分的漂移区侧壁开始出现高浓度电子积累层，通过调节凸出部分的漂移区的宽度以及选择合适的阳极金属，从而获得低开启电压和极低导通电阻。此外，沟道区势垒高度随温度几乎不变，具有很高的温度稳定性。本发明具有开启电压小，击穿电压高，比导通电阻低，温度稳定性好等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 gan 功率 二极管 | ||
【主权项】：
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