[发明专利]一种重掺产品抛光后厚度控制的方法有效
| 申请号： | 202010033493.4 | 申请日： | 2020-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN111203792B | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 祝斌;刘蛟龙;裴坤羽;武卫;孙晨光;刘建伟;由佰玲;刘园;常雪岩;谢艳;杨春雪;刘秒;王彦君;吕莹;徐荣清 | 申请（专利权）人： | 天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | B24B29/02 | 分类号： | B24B29/02;B24B51/00 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 300384 天津市滨海*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供一种重掺产品抛光后厚度控制的方法，包括以下步骤，计算晶片在抛光时的去除速率；根据晶片初始厚度，确定晶片所处抛光阶段，计算标准去除速率；根据标准去除速率计算进入抛光阶段的来料的抛光时间，并根据抛光时间进行抛光。本发明的有益效果是用于对重掺产品在抛光过程中进行厚度控制，保证抛光后硅片厚度的均一性，保证在批量生产过程中厚度的一致性，便于控制晶片的几何参数的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 产品 抛光 厚度 控制 方法 | ||
【主权项】：
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