[发明专利]掺磷单晶硅生产中防尘爆的抽真空方法及应用其的掺磷单晶硅生产方法有效
| 申请号： | 202010024633.1 | 申请日： | 2020-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN111172598B | 公开（公告）日： | 2022-08-19 |
| 发明（设计）人： | 万军召 | 申请（专利权）人： | 郑州合晶硅材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B35/00 | 分类号： | C30B35/00;C30B29/06;F17D1/04;F17D3/01 |
| 代理公司： | 上海脱颖律师事务所 31259 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 451171 河南省郑州*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种掺磷单晶硅生产中防尘爆的抽真空方法，用于生产掺磷单晶硅的单晶炉包括相互连通的主室和副室，所述副室设于所述主室上方；所述抽真空方法包括以下步骤：S1、采用第一管道将主阀和主泵依次连通到所述主室，并关闭所述主阀和主泵；S2、采用第二管道将辅助阀和副泵依次连通到所述副室，采用第三管道将快充阀连通至所述主室或所述副室；打开所述辅助阀和副泵将所述单晶炉内的空气抽出，控制所述快充阀向所述单晶炉内通入惰性气体。通过上述抽真空方法，可以实现逐渐减少炉内的空气含量，在抽真空的同时不满足尘爆条件；本发明中还提供了应用该防尘爆的抽真空方法的掺磷单晶硅生产方法，提供了安全生产掺磷单晶硅的保证。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 生产 防尘 真空 方法 应用 | ||
【主权项】：
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