[发明专利]一种熔丝存储单元、存储阵列以及存储阵列的工作方法在审
| 申请号： | 202010018907.6 | 申请日： | 2020-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN113096717A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 李晓华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | G11C17/18 | 分类号： | G11C17/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种熔丝存储单元、存储阵列以及存储阵列的工作方法，存储阵列包括：M个存储单元，M为大于或等于1的自然数，每个存储单元包括：晶体管；N个熔丝元件，N为大于或等于1的自然数，所述每个熔丝元件包括第一端和第二端，所述每个熔丝元件的第一端分别与所述晶体管的漏极连接，所述第二端用于输入读取电压或编程电压。所述熔丝存储阵列在芯片上的面积得以缩小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储 单元 阵列 以及 工作 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010018907.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体结构及其形成方法
- 下一篇：模型的分布式训练方法、装置和系统
