[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202010018893.8 | 申请日： | 2020-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN113097166A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 陆毅;庄晓辉;林艺辉;王亮;李乐;高凯歌;朱文杰;赵家琳 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/535;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，所述方法包括：提供衬底，所述衬底包括第一区和第二区，所述第一区内具有第一金属结构，所述第二区内具有第二金属结构；在所述第一金属结构表面和所述第二金属结构表面形成器件层；在所述第一区的器件层内形成第一通孔，在所述第二区的器件层内形成第二通孔；采用选择性金属生长工艺，在所述第一通孔内形成第一插塞，并在所述第二通孔内形成第二插塞。所述半导体结构及其形成方法能够改善半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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