[发明专利]MRAM单元读取电路及读取方法、STT-MRAM在审
| 申请号： | 202010015813.3 | 申请日： | 2020-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN113160861A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 汪腾野;王韬;罗睿明 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海德禾翰通律师事务所 31319 | 代理人： | 侯莉 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | STT‑MRAM、STT‑MRAM位单元和MRAM单元读取电路，所述MRAM单元读取电路包括：读出放大器，适于在接收到预充电信号时，将被选中的MRAM单元的阵列位线和所述动态反馈参考单元的参考位线分别充电至预设的高电平；所述动态反馈参考单元，适于在接收到字线开启信号时，从预设的第一阶段转换为第二阶段，以通过改变所述参考位线上输出的参考电流，增加所述被选中的MRAM单元输出的数据点电压和自身输出的参考点电压之间的压差；所述读出放大器，还适于读取所述被选中的MRAM单元输出的数据点电压和所述动态反馈参考单元输出的参考点电压进行差分放大后输出对应的数字电平。上述的方案，可以增加MRAM单元读取电路的读裕量。 | ||
| 搜索关键词： | mram 单元 读取 电路 方法 stt | ||
【主权项】：
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