[发明专利]三维存储器的制备方法及三维存储器有效
| 申请号： | 202010006203.7 | 申请日： | 2020-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN111180461B | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 张璐;杨竹;韩凯;吴智鹏;杨川;刘新鑫;耿静静 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11568 | 分类号： | H01L27/11568;H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 熊永强 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种三维存储器的制备方法及三维存储器。三维存储器的制备方法包括:提供衬底；在衬底上形成阻隔层；在阻隔层上形成堆叠结构层；堆叠结构层分为核心区及围绕核心区设置的台阶区，阻隔层至少位于台阶区；在核心区形成存储结构；刻蚀堆叠结构层，以形成贯穿堆叠结构层的沟槽；其中，阻隔层作为保护层，用于保护衬底，避免在刻蚀堆叠结构层的过程中刻蚀衬底。本申请提供的三维存储器的制备方法避免台阶区的衬底被刻蚀，从而保证制备三维存储器的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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