[发明专利]镓铝砷材质的红外LED芯片的功率提升方法有效
| 申请号： | 202010003804.2 | 申请日： | 2020-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN111162155B | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 邱晨;吴质朴;何畏 | 申请（专利权）人： | 深圳市奥伦德元器件有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/54 | 分类号： | H01L33/54;H01L33/58 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 孙浩 |
| 地址： | 518100 广东省深圳市龙岗区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种镓铝砷材质的红外LED芯片的功率提升方法，包括：对红外LED芯片涂上光刻胶并进行烘烤处理；对红外LED芯片的P面进行光刻处理使得P面生成导光孔，再进行烘烤处理；将红外LED芯片浸泡至由磷酸和双氧水混合的第一混合溶液中进行刻蚀处理；将刻蚀处理后的红外LED芯片浸泡至由硝酸、冰醋酸和水混合的第二混合溶液中进行粗化处理；将粗化处理后的红外LED芯片进行去胶处理和清洗处理。通过光刻处理在P面生成导光孔，增大了发光面积，提高了发光功率；刻蚀处理可以形成敞开状的导光孔，使得大部分光线不会被反射或者吸收，提高了发光功率；另外，对P面、N面和侧面进行表面粗化以及对导光孔进行粗化能够增加发光面积，提高发光功率。 | ||
| 搜索关键词： | 镓铝砷 材质 红外 led 芯片 功率 提升 方法 | ||
【主权项】：
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