[发明专利]化合物半导体的晶体缺陷观察方法在审
| 申请号： | 201980101687.9 | 申请日： | 2019-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN114599965A | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木肇 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G01N23/04 | 分类号： | G01N23/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 郭忠健 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 将在纤锌矿结构的化合物半导体(1)的c面(0001)上沿[2－1－10]方向形成有栅电极(3)的设备以(10－10)面切割，制作试样(4)。通过使用透射式电子显微镜使电子束(5)从[－1010]方向入射到试样(4)，观察伯格斯矢量为1/3[2－1－10]、1/3[－2110]的刃型位错和伯格斯矢量为1/3[2－1－13]、1/3[－2113]的混合位错。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 晶体缺陷 观察 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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