[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法以及加热器单元在审

专利信息
申请号: 201980088050.0 申请日: 2019-12-26
公开(公告)号: CN113272940A 公开(公告)日: 2021-08-17
发明(设计)人: 杉浦忍;上野正昭;小杉哲也;村田等;杉下雅士;山田朋之 申请(专利权)人: 株式会社国际电气
主分类号: H01L21/31 分类号: H01L21/31;C23C16/46
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 丁文蕴;杜嘉璐
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明提供一种结构,其具备:反应室,其在内部容纳基板;炉体,其以覆盖该反应室的周围的方式设置;发热体,其设于该炉体的内部或内侧;第一温度传感器,其以测温点位于该发热体的附近的方式设置;第二温度传感器,其以测温点与第一温度传感器的测温点接近的方式设置;第三温度传感器,其设于反应室的内部或外侧、比第一温度传感器的测温点靠近基板且远离发热体的位置;以及温度调节器,其一边参照第一温度传感器的温度一边控制发热体的发热量,以使该第三温度传感器探测到的温度与预定的目标一致,该温度调节器当探测到第一温度传感器的异常时,能够取代第一温度传感器的温度而参照第二温度传感器的温度继续发热量的控制。
搜索关键词: 处理 装置 半导体 制造 方法 以及 加热器 单元
【主权项】:
暂无信息
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