[发明专利]用于制造具有最佳吸收率的检测结构的方法以及所述结构在审
| 申请号： | 201980087426.6 | 申请日： | 2019-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN113260836A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 阿卜杜卡迪尔·阿利亚内;让-路易斯·乌夫里耶-比费 | 申请（专利权）人： | 原子能和替代能源委员会 |
| 主分类号： | G01J5/20 | 分类号： | G01J5/20 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 江海;姚开丽 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种形成用于检测电磁辐射的检测结构(10)的方法，该检测结构包括作为换能器的MOS晶体管(100)。该方法基于使用侧向延伸元件(134，135，136)作为用于晶体管的半导体层(113P)的掺杂掩模和用于同一半导体层113P)的蚀刻掩模，以提供晶体管(100)的漏极和源极的接触部分(111A，112A)。本发明还涉及一种能够通过这种方法获得的检测结构(10)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 具有 最佳 吸收率 检测 结构 方法 以及 | ||
【主权项】：
暂无信息
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