[发明专利]用于堆叠的垂直传输场效应晶体管的双重传输取向在审
| 申请号： | 201980085874.2 | 申请日： | 2019-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN113228231A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 山下典洪;张辰;程慷果;吴恒 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 边海梅 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种半导体结构，包括：衬底；垂直鳍状物，所述垂直鳍状物设置在所述衬底的顶表面上方；第一垂直传输场效应晶体管(VTFET)，所述第一垂直传输场效应晶体管围绕所述垂直鳍状物的第一部分设置在所述衬底的所述顶表面上方；隔离层，所述隔离层围绕所述垂直鳍状物的第二部分设置在所述第一VTFET上方；以及第二VTFET，所述第二VTFET围绕所述垂直鳍状物的第三部分设置在所述隔离层的顶表面上方。垂直鳍状物的第一部分包括具有第一晶体取向的第一半导体层，第一晶体取向为第一VTFET提供第一垂直传输沟道，所述垂直鳍状物的所述第二部分包括绝缘体，并且所述垂直鳍状物的所述第三部分包括具有第二晶体取向的第二半导体层，所述第二晶体取向提供用于所述第二VTFET的第二垂直传输沟道。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 堆叠 垂直 传输 场效应 晶体管 双重 取向 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
