[发明专利]初始静电线性离子阱在审
| 申请号： | 201980082170.X | 申请日： | 2019-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN113169031A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | E·T·杰库恩斯基 | 申请（专利权）人： | DH科技发展私人贸易有限公司 |
| 主分类号： | H01J49/42 | 分类号： | H01J49/42 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 冯雯 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种ELIT包括电压源(1101)、开关(1102)、沿中心轴对齐的第一套电极板(1110)以及沿中心轴与第一套对齐的第二套电极板(1120)。第一套和第二套中的第一组板(310，320；810，820)被定位以在第一路径长度(340，940)内捕获离子。第一套和第二套中的第二组板(410，420)被定位以在较短的第二路径长度(440，1040)内捕获离子。开关通过将来自电压源的使第一组板在第一路径长度内捕获离子的电压施加至第一套和第二套来选择第一路径长度。可替代地，开关可以通过施加使第二组板在第二路径长度内捕获离子的电压来选择第二路径长度。 | ||
| 搜索关键词： | 初始 静电 线性 离子 | ||
【主权项】：
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