[发明专利]从动态随机存取存储器排的掉电模式的推测性退出在审
| 申请号： | 201980081986.0 | 申请日： | 2019-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN113227938A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 凯达尔纳特·巴拉里斯南 | 申请（专利权）人： | 超威半导体公司 |
| 主分类号： | G06F1/3228 | 分类号： | G06F1/3228;G06F1/3225;G06F1/324;G06F13/16;G11C7/22;G06F11/34;G06F1/3287;G06F1/3296;G06F3/06;G11C11/409 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠;张华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种处理系统(100)，包括存储器控制器(110)，所述存储器控制器基于所述存储器控制器将接收到对访问动态随机存取存储器(DRAM)集成电路排(115)的请求(102)的预测时间来使所述DRAM排从诸如掉电模式的低功率模式抢先地退出。所述存储器控制器跟踪在DRAM排进入所述低功率模式之后多久才由所述存储器控制器接收到对访问所述DRAM排的请求。基于访问请求的定时的历史，所述存储器控制器针对每个DRAM排预测反映在进入低功率模式之后多久预期将接收到对访问每个DRAM排的请求的预测时间。所述存储器控制器基于所述预测时间并且在接收到对访问所述DRAM IC排的请求之前使所述DRAM排从所述低功率模式推测性地退出。 | ||
| 搜索关键词： | 动态 随机存取存储器 掉电 模式 推测 退出 | ||
【主权项】：
暂无信息
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