[发明专利]半导体纳米管的富集合成在审

专利信息
申请号: 201980079630.3 申请日: 2019-10-23
公开(公告)号: CN113164931A 公开(公告)日: 2021-07-23
发明(设计)人: 王大伟;周薇薇;马克·查普曼 申请(专利权)人: 卡本科技有限公司
主分类号: B01J23/89 分类号: B01J23/89;C01B32/162;C01B32/159;H01L51/00;H01L51/05
代理公司: 北京高沃律师事务所 11569 代理人: 马丛
地址: 美国加*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明公开了用于生产工程催化剂和使用该催化剂碳纳米管(CNT)合成半导体单壁碳纳米管的组合物和方法。CNTS为金属的或半导体的,具有由工程催化剂控制的直径,以选择性合成半导体CNT。工程催化剂由高熔点金属和活性过渡金属两种金属组成。在半导体CNT的生长过程中,每种金属都保持固态,并且均以尺寸为0.5nm至10nm的纳米颗粒的形式存在。高熔点金属与活性过渡金属的比例优选为1:0.25至1:10。
搜索关键词: 半导体 纳米 富集 合成
【主权项】:
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