[发明专利]利用反常霍尔效应的磁传感器和霍尔传感器以及霍尔传感器的制造方法在审
| 申请号： | 201980079358.9 | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN113167841A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 金泰完 | 申请（专利权）人： | 世宗大学校产学协力团;纳诺格特公司 |
| 主分类号： | G01R33/07 | 分类号： | G01R33/07;G01R33/00;H01L43/06 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马爽;臧建明 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
提供一种利用反常霍尔效应的磁传感器。非磁性金属层设置在铁磁材料之上和之下，以形成与施加的磁场的变化相对应的霍尔电压。所述磁传感器的线性度和饱和磁化取决于所述非磁性金属层的厚度和所述铁磁材料的厚度。另外，提供了一种利用反常霍尔效应的霍尔传感器。非磁性金属层相对于铁磁性层形成，并且构成所述铁磁性层的CoFeSiB的厚度在 |
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| 搜索关键词： | 利用 反常 霍尔 效应 传感器 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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