[发明专利]包括支撑芯片和三维存储器芯片的经翘曲补偿的键合结构在审
| 申请号： | 201980079159.8 | 申请日： | 2019-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN113169125A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | S·卡纳卡梅达拉;R·S·马卡拉;李姚盛;陈建 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L21/02;H01L21/78;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨贝贝;臧建明 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 第一半导体管芯和第二半导体管芯可以增强键合焊盘的对准的方式键合。可通过在第一晶圆的背侧上形成图案化的应力产生膜来补偿包括第一半导体管芯的第一晶圆的非均匀变形。金属凸块部分可通过选择性金属沉积工艺形成在金属键合焊盘的凹形表面上，以减小键合的金属键合焊盘对之间的间隙。可在光刻曝光工具中采用移轴操作来调节半导体管芯上的焊盘到焊盘间距，以与另一个半导体管芯的焊盘到焊盘间距匹配。可采用被配置为在晶圆上提供非均匀位移的卡盘来将晶圆保持在成型的形状，以用于在匹配的成型位置中与另一个晶圆键合。可采用独立的高度控制的销来将晶圆保持在非平面构型中。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 支撑 芯片 三维 存储器 经翘曲 补偿 结构 | ||
【主权项】：
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