[发明专利]非易失性存储器中的行相关感测在审
| 申请号： | 201980077965.1 | 申请日： | 2019-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN113168874A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 杨翔;曾怀远;D·杜塔 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26;G11C16/24;G11C16/34;G11C16/08;H01L27/11514 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明描述了一种用于解决存储器孔中的制造差异的方法和结构。增加该存储器孔与蚀刻剂源或其他制造材料的距离导致存储器从外部存储器孔到内部存储器孔的不同特性。这些差异可通过对该存储器孔进行分组并基于该分组改变编程或验证操作的参数来解决。内部分组的位线电压可小于外部分组的位线电压。相对于该内部分组，该外部分组的感测定时可以更大。这可导致该内部分组和该外部分组的电压阈值彼此重叠以改善存储器性能。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 中的 相关 | ||
【主权项】：
暂无信息
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