[发明专利]用于钨的钼模板在审
| 申请号： | 201980076277.3 | 申请日： | 2019-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN113169056A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 帕特里克·A·范克利蒙布特;施卢蒂·维维克·托姆贝尔;米卡尔·达内克 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/285;H01L21/324;H01L21/02;H01L21/768;H01L27/11551;H01L27/11524 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;张静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文提供了用于逻辑和存储器应用的低电阻金属化堆叠件结构以及相关的制造方法。所述方法涉及在具有大晶粒尺寸的薄的低电阻率过渡金属层上形成主体导电膜。主体导电膜跟随低电阻率过渡金属膜的晶粒，导致较大的晶粒尺寸。还提供了包括模板层和主体膜的设备。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 模板 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
